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FYP2010DN — Schottky Barrier Rectifier
? 2009 Fairchild Semiconductor Corporation
www.fairchildsemi.com
FYP2010DN Rev. B1 1
August 2009
FYP2010DN
Schottky Barrier Rectifier
Features
? Low forward voltage drop
? High frequency properties and switching speed
? Guard ring for over-voltage protection
Absolute Maximum RatingsTA=25°C unless otherwise noted
Thermal Characteristics
Electrical Characteristics (per diode)
* Pulse Test: Pulse Width=300μs, Duty Cycle=2%
Symbol Parameter Value Units
VRRM
Maximum Repetitive Reverse Voltage 100 V
VR
Maximum DC Reverse Voltage 100 V
IF(AV)
Average Rectified Forward Current @ TC
= 120
°C20 A
IFSM
Non-repetitive Peak Surge Current (per diode)
60Hz Single Half-Sine Wave
150 A
TJ, TSTG
Operating Junction and Storage Temperature -65 to +150
°C
Symbol Parameter Value Units
RθJC
Maximum Thermal Resistance, Junction to Case (per diode) 1.7
°C/W
Symbol Parameter Value Units
VFM *
Maximum Instantaneous Forward Voltage
IF
= 10A
IF
= 10A
IF
= 20A
IF
= 20A
TC
= 25
°C
TC
= 125
°C
TC
= 25
°C
TC
= 125
°C
0.77
0.65
-
0.75
V
IRM *
Maximum Instantaneous Reverse Current
@ rated VR
TC
= 25
°
C
TC
= 125
°C
0.1
20
mA
3.Anode
1.Anode
2. Cathode
TO-220
1 2 3
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